变频器中的lgbt指的是绝缘栅双极型晶体管，全称为Insulate-Gate Bipolar Transistor。
lgbt综合了电力晶体管（Giant Transistor—GTR）和电力场效应晶体管（Power MOSFET）的优点，具有良好的特性，应用领域很广泛；IGBT也是三端器件：栅极，集电极和发射极。
IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。MOSFET由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。
模块特点
IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见，与BJT相比具有更好的电流传导能力，在正向与反向隔离方面参数也更优秀。
IGBT具有非常低的导通压降与优秀的导通电流密度，所以可以使用更小尺寸的器件从而降低成本，因为栅极结构使用MOS管的同类设计，所以驱动功率非常小，驱动电路也很简单，与可控硅/BJT这些电流控制型器件来比，在高压与高电流应用场景，IGBT非常易于控制。
以上内容参考：百度百科-绝缘栅双极晶体管
igbt是一种新型的半导体器件，自从问世以来在自动控制领域，诸如各类变频器、自动化设备、航天科技领域、电动汽车、高铁、煤矿电力、逆变器、电焊机、**放映机以及大型医疗设备等都使用这个器件。
在家电行业从高档自动电饭煲、电磁炉、变频空调机、调温养生壶、高档调温电磁锅等等都离不开igbt这个半导体器件。
把交流电变成直流电，这个过程称为:整流。整流技术早在八十年代已经基本成熟。把直流电变成交流电，这一过程称为:逆变。
早在八十年代逆变技术依靠的是可控硅，俗称的晶闸管。其原理是将一直流电源加在可控硅的阳极和阴极上，通过另一个触发电路加在可控硅的控制集上，通过调整可控硅控制极上的导通时间，来决定直流电的通断，从而实现把直流电变成交流电的逆变。
另一个方案是将直流电加在晶体三极管上，俗称开关管。将直流电压加在开关管的集电极和发射极上，通过调节基极上的电位，来控制开关管的导通与关闭，从而实现把直流变成交流的逆变过程。
无论是可控硅技术还是开关管通断，都由于这些器件存在着自身电阻大即饱和压降大等特点，因为饱和压降是指在接通电路时自身会产生很大的电压降，随之带来的是产生大量的热。
同时也因为开关三极管的输入电阻小，需要很大的激励和推动电流，所以无论是可控硅还是开关三极管，对前一级电路有着很高的要求。
由于半导体材料自身的特性，即输入电阻小，饱和压降大的缺陷，使得在大功率输出方面限制了其应用范围。所以在很长的一段时间内，电流的逆变技术没有取得大的突破。
在八十年代后期，一只新型半导体器件横空出世，一举解决了前面出现的这些问题，这只半导体器件具有输入阻抗高，输出阻抗低的特点，克服了先前半导体的缺陷，这个半导体器件就是igbt。
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